中科大在InGaAs單光子探測芯片取得重要進展

　　據澎湃新聞消息，近日，中國科學技術大學光學與光學工程系教授王亮課題組設計并制備的InGaAs(砷化銦鎵)單光子探測器芯片取得重要進展。前述團隊通過設計金屬—分布式布拉格反射器優化單光子探測器芯片的光學性能，完成低本征暗計數的單光子探測器芯片的全自主化設計與制備，實現了單光子探測器芯片的全國產化，為解決我國前沿科技問題邁進了重要一步。相關成果在線發表于電子工程技術領域期刊Journal of Lightwave Technology。